Полевой транзистор IRF520N MOSFET, N-канальный силовой MOSFET, корпус TO-220AB, 9,7 А, 100 В, 3 вывода, с контактной площадкой для

Описание продукта
Транзистор — это прецизионный электронный компонент с высоким входным сопротивлением, низким уровнем шума, низким энергопотреблением и широким динамическим диапазоном. Это полупроводниковый прибор, широко используемый в электронных схемах. Как правило, он применяется в электронных переключателях, управляемых плавниках акул и других областях.

Технические характеристики:
Модель: IRF520N
Полярность транзистора: N-канал
Сопротивление в открытом состоянии Rds(on): 0,20 Ом
Высокое напряжение Vgs: ±20 В
Количество контактов: 3
Рабочая температура: от -55 °C до +175 °C
Тепловое сопротивление соединения с корпусом A: 0,32°C/Вт
Типичное напряжение Vds: 100 В
Текущий непрерывный идентификатор: 9.7A
Импульсный ток Idm: 38 А
Устройство поверхностного монтажа: сквозной монтаж.

В комплект входит:
20 транзисторов IRF520N
20 радиаторов
20 x винтовых моек
20 х силиконовой резины.
1 отвертка